Эта публикация цитируется в 1 статье

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs): создание и свойства

Ю. А. Николаев^a, В. Ю. Рудь^b, Ю. В. Рудь^a, Е. И. Теруков^a, Н. М. Геллер^c, А. Г. Иванов^c, В. В. Шаманин<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c Институт высокомолекулярных соединений РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложена и реализована атермическая безвакуумная технология и впервые созданы гетеропереходы неклассически полисопряженные полисалицилиденазометины/Si (GaAs). Установлено, что максимальная фоточувствительность полученных гетеропереходов достигается при их освещении со стороны тонких пленок полимеров в спектральном диапазоне 1–3.5 эВ. Сделан вывод о возможности применения новых гетеропереходов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.

Поступила в редакцию: 09.07.2009
Принята в печать: 18.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 354–358

Реферативные базы данных:

•