Эта публикация цитируется в 4 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Влияние термического окисления на перенос носителей заряда в наноструктурированном кремнии

Е. А. Агафонова^a, М. Н. Мартышов^a, П. А. Форш^ab, В. Ю. Тимошенко^ab, П. К. Кашкаров<sup>ab

a</sup> Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Исследовано влияние кратковременного отжига на воздухе на проводимость пористого кремния в двух различных направлениях (вдоль и перпендикулярно поверхности образцов). Изучаемые в работе образцы получались методом электрохимического травления монокристаллических пластин кремния с ориентацией поверхности (100). Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую перпендикулярно и вдоль поверхности образцов: на окисленных образцах проводимость перпендикулярно поверхности заметно выше проводимости вдоль нее. Полученные результаты объяснены на основе модели переноса носителей заряда, учитывающей наличие потенциальных барьеров на границах кремниевых нанокристаллов.

Поступила в редакцию: 23.06.2009
Принята в печать: 30.07.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 350–353

Реферативные базы данных:

•