Низкоразмерные системы

Форма рельефа гетерограниц в (311)А-ориентированных структурах GaAs/AlAs

Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование стационарной фотолюминесценции и кинетики фотолюминесценции (100)- и (311)A-ориентированных сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что в (100)-ориентированных структурах падение интенсивности стационарной фотолюминесценции и ускорение кинетики фотолюминесценции не зависят от направления электрического поля поверхностной акустической волны относительно кристаллографических направлений, тогда как в (311)A-ориентированных структурах эти эффекты анизотропны. Показано, что все изменения в стационарной фотолюминесценции, а также в кинетике фотолюминесценции (100)- и (311)A-структур под действием электрического поля акустической волны связаны с переносом и захватом на центры безызлучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда, исходно локализованных в широких квантовых ямах, образованных флуктуациями толщины слоев структур. Из полученных экспериментальных данных определены параметры рельефа гетерограниц (311)A-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs. Установлено, что латеральные размеры микроканавок в направлении [011] на прямой и на обратной гетерограницах (311)A-сверхрешеток превышают 3.2 нм, а модуляция толщины слоев AlAs составляет от 0.8 до 1.2 нм.

Поступила в редакцию: 16.06.2009
Принята в печать: 30.07.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 341–349

Реферативные базы данных:

•