Эта публикация цитируется в 12 статьях

Низкоразмерные системы

Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

О. В. Кучерова^a, В. И. Зубков^a, А. В. Соломонов^a, Д. В. Давыдов<sup>bc

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Впервые с помощью комплекса адмиттансной спектроскопии в широком интервале температур 6–300 K исследовались светоизлучающие гетероструктуры с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. В спектрах проводимости обнаружены три пика, соответствующие эмиссии носителей заряда из квантовых ям и из точечных дефектов, распределенных в объеме полупроводника. Два низкотемпературных пика обладают аномальным поведением: пик с малым значением наблюдаемой энергии активации (17 мэВ) оказывается смещенным в область больших температур по сравнению с более высокоэнергетичным пиком (30 мэВ). Последний ассоциируется с объемным дефектом, имеющим аномально большое сечение захвата $\sigma_n$ = 1.5 $\cdot$ 10$^{-11}$ см$^2$.

Поступила в редакцию: 09.07.2009
Принята в печать: 08.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 335–340

Реферативные базы данных:

•