Эта публикация цитируется в 14 статьях

Низкоразмерные системы

Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001)

А. В. Новиков^a, А. Н. Яблонский^a, В. В. Платонов^b, С. В. Оболенский^c, Д. Н. Лобанов^a, З. Ф. Красильник<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Саровский физико-технический институт, 607183 Саров, Россия
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Выполнены исследования влияния радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур Si/Ge с различной степенью пространственной локализации носителей заряда. Показано, что радиационная стойкость гетероструктур Si/Ge увеличивается по мере роста эффективности локализации носителей заряда в них. Пространственная локализация носителей заряда в SiGe-наноструктурах уменьшает вероятность их безызлучательной рекомбинации на радиационных дефектах, созданных в Si-матрице. Продемонстрировано, что наибольшей радиационной стойкостью из исследованных структур обладают люминесцентные свойства многослойных структур с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками, в которых реализована наиболее эффективная пространственная локализация носителей заряда: трехмерная для дырок в островках и двухмерная для электронов в Si-слоях, разделяющих соседние слои с островками.

Поступила в редакцию: 09.07.2009
Принята в печать: 08.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 329–334

Реферативные базы данных:

•