Эта публикация цитируется в 22 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Фоточувствительность гетеропереходов $n$-CdS/$p$-CdTe, полученных химическим поверхностным осаждением CdS

Г. А. Ильчук^a, В. В. Кусьнэж^a, В. Ю. Рудь^b, Ю. В. Рудь^c, П. Й. Шаповал^a, Р. Ю. Петрусь<sup>a

a</sup> Национальный университет ``Львовская политехника''
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Разработана новая технология химического поверхностного осаждения и получены тонкие пленки CdS (35–100 нм) на подложках $p$-CdTe. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов $n$-CdS/$p$-CdTe, и показано, что развитый метод обеспечивает высокую эффективность фотопреобразования в диапазоне, ограничиваемом ширинами запрещенных зон СdTe и CdS. Показана возможность применения метода химического поверхностного осаждения CdS при создании тонкопленочных солнечных элементов $n$-CdS/$p$-CdTe.

Поступила в редакцию: 01.06.2009
Принята в печать: 08.07.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 318–320

Реферативные базы данных:

•