Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Исследование вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-CdS/$p$-CdTe в зависимости от температуры

Ш. Н. Усмонов, Ш. А. Мирсагатов, А. Ю. Лейдерман

Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, 100084 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктуры $n$-CdS/$p$-CdTe при различных значениях температуры. Установлено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0.5 В) описывается экспоненциальной зависимостью, а при больших (до 2.6 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких центров растет с ростом температуры.

Поступила в редакцию: 18.05.2009
Принята в печать: 30.05.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 313–317

Реферативные базы данных:

•