Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Уменьшение поглощения в структурах кварц/Si, кварц/Si/SiO$_2$ и SiC/Si/SiO$_2$ под влиянием лазерной обработки

В. Н. Лисоченко^a, Р. В. Конакова^a, Б. Г. Коноплев^b, В. В. Кушнир^b, О. Б. Охрименко^c, А. М. Светличный<sup>b

a</sup> LIMO – Lissotchenko-Mikrooptik GmbH, 44319 Dortmund, Germany
^b Таганрогский технологический институт Южного федерального университета
^c Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Исследовано влияние лазерного излучения на спектры оптического поглощения систем кварц/Si, кварц/Si/SiO$_2$ и SiC/Si/SiO$_2$. Выявлены эффекты управления прозрачностью данной структуры.

Поступила в редакцию: 10.06.2009
Принята в печать: 23.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 309–312

Реферативные базы данных:

•