Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Влияние отжига на микроволновое магнетосопротивление в тонких пленках Ge$_{0.96}$Mn$_{0.04}$

А. И. Дмитриев^a, Р. Б. Моргунов^a, О. Л. Казакова<sup>b

a</sup> Институт проблем химической физики Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
^b Национальная физическая лаборатория, Теддингтон, Соединенное королевство Великобритании

Аннотация: Установлено, что отжиг полученных ионной имплантацией пленок Ge$_{0.96}$Mn$_{0.04}$ толщиной 120 нм приводит к увеличению микроволнового удельного сопротивления и смене механизма сбоя фазы носителей заряда. Влияние отжига на микроволновые транспортные свойства тонких пленок обусловлено диффузионно-контролируемой агрегацией примесных диспергированных ионов Mn$^{2+}$ в кластеры Ge$_3$Mn$_5$.

Поступила в редакцию: 22.06.2009
Принята в печать: 30.07.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 303–308

Реферативные базы данных:

•