Эта публикация цитируется в 13 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Особенности интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов

В. А. Ромака^ab, D. Fruchart^c, E. K. Hlil^c, Р. Е. Гладышевский^d, D. Gignoux^c, В. В. Ромака^d, Б. С. Кужель^d, Р. В. Крайовский<sup>b

a</sup> Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. С. Пидстригача НАН Украины, г. Львов
^b Национальный университет ``Львовская политехника''
^c Институт Нееля Национального центра научных исследований, 38042 Гренобль, Франция
^d Львовский национальный университет им. И. Франко

Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов (R) в диапазонах температур 1.5–400 K, концентраций редкоземельного металла 9.5 $\cdot$ 10$^{19}$–9.5 $\cdot$ 10$^{21}$ см$^{-3}$, магнитных полей $H\le$ 15 Тл. Определены области существования твердых растворов Zr$_{1-x}$R$_x$NiSn, сформулированы критерии растворимости атомов редкоземельных металлов в ZrNiSn и перехода диэлектрик–металл, определена природа “априорного легирования” ZrNiSn донорами как результат перераспределения атомов Zr и Ni в кристаллографических позициях Zr. Установлена корреляция между концентрацией примеси R, амплитудой модуляции зон непрерывных энергий, а также степенью заполнения носителями тока потенциальных ям мелкомасштабных флуктуаций. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.

Поступила в редакцию: 16.06.2009
Принята в печать: 30.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 293–302

Реферативные базы данных:

•