RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 3, страницы 306–309 (Mi phts8764)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Фотопроводимость и люминесценция кристаллов GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения

А. Г. Кязымзадеab, В. М. Салмановab, А. А. Салмановаab, А. М. Алиеваab, Р. З. Ибаеваab

a Бакинский государственный университет, 370145 Баку, Азербайджан
b Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, 370143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Экспериментально исследована фотопроводимость и люминесценция в слоистых кристаллах GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения. Наблюдаемые особенности спектров фотопроводимости и люминесценции определяются нелинейным оптическим поглощением в области экситонного резонанса.

Поступила в редакцию: 10.03.2009
Принята в печать: 09.04.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 289–292

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026