Эта публикация цитируется в 4 статьях

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации

К. В. Феклистов, Л. И. Федина, А. Г. Черков

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Преципитация бора, имплантированного в Si с дозой 1 $\cdot$ 10$^{16}$см$^{-2}$, исследована в зависимости от концентрации узлового бора $(C_{\mathrm{B_0}})$, введенного до имплантации, и последующего отжига при 900$^\circ$C. Показано, что $C_{\mathrm{B_0}}$ = 2.5 $\cdot$ 10$^{20}$см$^{-3}$ является критическим значением, при котором образование преципитатов не зависит от концентрации точечных дефектов, введенных имплантацией (вдали или вблизи от среднего проецированного пробега $R_p$), и является доминирующим каналом деактивации бора. При меньших значениях $C_{\mathrm{B_0}}$, приближающихся к равновесному значению, преципитация наблюдается лишь вдали от $R_p$, в областях с пониженной концентрацией точечных дефектов. В то время как в области $R_p$ с высокой концентрацией точечных дефектов большая часть атомов бора вовлекается в кластеризацию собственных межузельных атомов с образованием дислокационных петель и также становится электрически неактивной.

Поступила в редакцию: 09.07.2009
Принята в печать: 24.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 285–288

Реферативные базы данных:

•