Эта публикация цитируется в 11 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda\approx$ 3.3 мкм)

А. П. Астахова^a, А. С. Головин^a, Н. Д. Ильинская^a, К. В. Калинина^a, С. С. Кижаев^a, О. Ю. Серебренникова^a, Н. Д. Стоянов^a, Z. J. Horvath^b, Ю. П. Яковлев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy of Sciences, Budapest 114, H-1525 Hungary

Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках $p$- и $n$-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку $n$-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны $\lambda$ = 3.3–3.4 мкм достигал величины 22.3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5.5 мВт при токе 9 А.

Поступила в редакцию: 01.07.2009
Принята в печать: 16.07.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 263–268

Реферативные базы данных:

•