RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 2, страницы 270–277 (Mi phts8759)

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Термофотоэлектрические генераторы на основе антимонида галлия

В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. В. Малевская, А. С. Власов, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Разработаны, созданы и протестированы конструкции термофотоэлектрических (ТФЭ) генераторов с инфракрасными эмиттерами, разогреваемыми концентрированным солнечным излучением. Исследованы излучатели из карбида кремния, вольфрама или тантала различной формы и геометрических размеров. Для термофотоэлектрических элементов на основе антимонида галлия эффективность преобразования теплового излучения вольфрамовых эмиттеров составила 19%. Рассмотрены особенности работы двух вариантов ТФЭ генераторов – цилиндрического и конического типов. В демонстрационной модели ТФЭ генератора из 12 фотоэлементов при преобразовании концентрированного солнечного излучения значение выходной электрической мощности составило $P$ = 3.8 Вт.

Поступила в редакцию: 01.07.2009
Принята в печать: 16.07.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 255–262

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026