Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире

В. В. Ратников^a, Р. Н. Кютт^a, С. В. Иванов^a, М. П. Щеглов^a, A. Baar<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Технический университет Брауншвейга, Брауншвейг, Германия

Аннотация: Деформация и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, изучались с помощью высокоразрешающей рантгеновской дифрактометрии. Деформационное состояние определялось по измерениям макроизгиба образцов. Структурное совершенство слоев анализировалось на основе измерения дифракции в геометриях Брегга и Лауэ с использованием $\theta$- и ($\theta$-2$\theta$)-мод сканирования. Найдено, что полученные слои (Zn/O $>$ 1) испытывают биаксиальные растягивающие напряжения, в то время как для Zn/O $<$ 1 напряжения отсутствуют. Из уширения дифракционных пиков рассчитывается плотность дислокаций различного типа и геометрии залегания.

Поступила в редакцию: 01.06.2009
Принята в печать: 08.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 251–254

Реферативные базы данных:

•