Эта публикация цитируется в 9 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Эпитаксиальный рост и свойства пленок Mg$_x$Zn$_{1-x}$O, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения

А. А. Лотин^a, О. А. Новодворский^a, Е. В. Хайдуков^a, В. В. Рочева^a, О. Д. Храмова^a, В. Я. Панченко^a, К. Венцель^b, Н. Трумпайска^b, К. Д. Щербачев<sup>c

a</sup> Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, 140700 Шатура, Россия
^b Институт полупроводниковой и микросистемной технологии, Университет технологии, D-01063 Дрезден, Германия
^c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Методом лазерно-плазменного осаждения при распылении керамических мишеней были выращены тонкие пленки Mg$_x$Zn$_{1-x}$O, содержащие Mg в концентрациях $x$ = 0–0.45. Определены условия их эпитаксиального роста на монокристаллических подложках Al$_2$O$_3$(00.1). Достигнут рекордный предел растворимости Mg в гексагональном оксиде цинка, соответствующий $x$ = 0.35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок ZnO и Mg$_{0.35}$Zn$_{0.65}$O при этом не превышало 1%, а значения ширин запрещенных зон различались на 0.78 эВ. Шероховатость поверхности пленок составила 0.8–1.5 нм в диапазоне $x$ = 0–0.27.

Поступила в редакцию: 28.05.2009
Принята в печать: 08.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 246–250

Реферативные базы данных:

•