RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 2, страницы 256–259 (Mi phts8756)

Физика полупроводниковых приборов

Диссипативные потери среднего инфракрасного излучения в диэлектрическом волноводе

Н. С. Аверкиев, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В трехслойном планарном диэлектрическом волноводе, совмещенном с гетеролазером, теоретически исследованы диссипативные потери электромагнитного излучения с длинами волн 20–55 мкм. Показано, что зависимость потерь от толщины волноводного слоя имеет различный вид для различных длин волн в диапазоне 20–55 мкм. Наименьшие потери (несколько обратных сантиметров) испытывает излучение с длиной волны $\lambda$ = 20 мкм. С увеличением длины волны потери возрастают, и для $\lambda$ = 40 мкм достигают значения 150 см$^{-1}$, которое практически не зависит от толщины волноводного слоя. Для электромагнитного излучения с $\lambda$ = 50 и 55 мкм наблюдается резкое (в сотни раз) уменьшение потерь при увеличении толщины волноводного слоя.

Поступила в редакцию: 30.07.2009
Принята в печать: 20.08.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 243–245

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026