Эта публикация цитируется в 19 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии

Д. А. Винокуров^a, В. П. Коняев^b, М. А. Ладугин^b, А. В. Лютецкий^a, А. А. Мармалюк^b, А. А. Падалица^b, А. Н. Петрунов^a, Н. А. Пихтин^a, В. А. Симаков^b, С. О. Слипченко^a, А. В. Сухарев^b, Н. В. Фетисова^a, В. В. Шамахов^a, И. С. Тарасов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Выбраны параметры конструкции эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных асимметричных лазерных гетероструктур раздельного ограничения. Определены технологические режимы изготовления таких гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs. Показана возможность изготовления в одном технологическом процессе высокоэффективных туннельных структур GaAs:Si/GaAs:C и асимметричных лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с малыми внутренними оптическими потерями. Выбраны условия формирования глубокой мезы для изготовления мезаполосковых многомодовых лазеров на основе эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных лазерных гетероструктур. На основе таких структур изготовлены мезаполосковые лазеры с апертурой 150 $\times$ 12 мкм. В образцах достигнуты значения плотности порогового тока $J_{\mathrm{th}}$ = 96 А/см$^2$, внутренние оптические потери $\alpha_i$ = 0.82 см$^{-1}$ и дифференциальное сопротивление $R$ = 280 мОм. В импульсном режиме генерации (100 нс, 1 кГц) в образцах, содержащих три лазерные структуры, получен наклон ватт-амперной характеристики 3 Вт/А и максимальная мощность 250 Вт.

Поступила в редакцию: 30.07.2009
Принята в печать: 20.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 238–242

Реферативные базы данных:

•