Л. Б. Карлина, А. С. Власов, М. М. Кулагина, Е. П. Ракова, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As с изовалентным легированием”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 2,страницы 240

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As с изовалентным легированием

Л. Б. Карлина, А. С. Власов, М. М. Кулагина, Е. П. Ракова, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900–1840 нм составило 7.4–7.35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500–1000 для спектра AM1.5D Low AOD.

Поступила в редакцию: 22.06.2009
Принята в печать: 29.06.2009