Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Расчет и анализ распределений плотности тока и температуры по площади структуры InGaN/GaN мощных светодиодов

В. А. Сергеев, А. М. Ходаков

Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Рассмотрена тепловая модель мощного светодиода InGaN/GaN, учитывающая экспоненциальную зависимость плотности тока и плотности мощности, рассеиваемой активной областью гетероструктуры, от температуры. Итерационным методом решена система уравнений, включающая стационарное уравнение теплопроводности с адиабатными условиями второго рода на боковых границах гетероструктуры и уравнения термогенерации, при условии постоянства средней плотности тока по активной области структуры. Найдены зависимости максимального и среднего перегрева по активной области структуры от величины рабочего тока и температуры окружающей среды для двух моделей теплоотвода: полубесконечного и ограниченного.

Поступила в редакцию: 18.06.2008
Принята в печать: 23.04.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 218–222

Реферативные базы данных:

•