Эта публикация цитируется в 4 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Механизм металлической проводимости вдоль границы раздела органических диэлектриков

В. Р. Никитенко^a, А. Р. Тамеев^b, А. В. Ванников<sup>b

a</sup> Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^b Институт физической химии и электрохимии им. А. Н. Фрумкина РАН, г. Москва

Аннотация: Проведен теоретический анализ прыжковой подвижности носителей заряда (как поверхностной, так и объемной) при наличии электронно-дырочных пар. Предложена физическая модель электропроводности металлического типа вдоль границы раздела (интерфейса) органических материалов, каждый из которых в отдельности является диэлектриком. Причиной является образование на границе раздела геминальных пар с достаточно высокой поверхностной плотностью. Определены условия, при которых для значительной части носителей заряда переходы между молекулами не требуют термической активации и туннелирования. Численным моделированием получены оценки величин поверхностной электропроводности и подвижности носителей заряда.

Поступила в редакцию: 01.07.2009
Принята в печать: 10.07.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 211–217

Реферативные базы данных:

•