Эта публикация цитируется в 16 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Видимая фотолюминесценция селективно травленных пористых $nc$-Si-SiO$_x$-структур

И. З. Индутный, Е. В. Михайловская, П. Е. Шепелявый, В. А. Данько

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Представлены результаты первых исследований влияния селективного травления на фотолюминесценцию пористых $nc$-Si-SiO$_x$ структур, которые содержат нанокластеры кремния ($nc$-Si) в матрице SiO$_x$. В исходных образцах при комнатной температуре наблюдаются интенсивные полосы фотолюминесценции с максимумами при 840 и 660 нм, обусловленные излучательной рекомбинацией свободных (либо связанных в экситоны) носителей, которые возбуждаются в $nc$-Si. В результате селективного травления $nc$-Si-SiO$_x$-структур в 1% растворе HF эти полосы значительно сдвигаются в более высокоэнергетическую область спектра. Предполагается, что эволюция спектров вызвана уменьшением размеров кремниевых наночастиц вследствие травления оксида и доокисления $nc$-Si. Полученные результаты показывают, что с помощью селективного травления оксидной матрицы можно управлять спектрами излучения пористых $nc$-Si-SiO$_x$-структур.

Поступила в редакцию: 03.06.2009
Принята в печать: 24.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 206–210

Реферативные базы данных:

•