RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 2, страницы 210–217 (Mi phts8748)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Низкоразмерные системы

Кинетика двумерных электронов с учетом рассеяния на резонансном состоянии

М. С. Кипаab, П. С. Алексеевa, И. Н. Яссиевичa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изучена кинетика электронов в двух подзонах квантовой ямы при наличии сильного ускоряющего электрического поля вдоль интерфейсов, рассеяния на оптических и акустических фононах, а также рассеяния на резонансном квазистационарном состоянии, связанном с наличием мелких доноров. Резонансное рассеяние учитывается в рамках известной модели Брейта–Вигнера. Функция распределения строится при помощи метода “случайных блужданий” Монте-Карло. Рассеяние на резонансном состоянии приводит к накоплению электронов вблизи резонансного состояния и в целом к существенной модификации функции распределения стриммингового режима. Получена зависимость относительной заселенности рассматриваемых подзон от температуры решетки.

Поступила в редакцию: 09.07.2009
Принята в печать: 18.08.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 198–205

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026