Эта публикация цитируется в 3 статьях

Низкоразмерные системы

Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb

Я. В. Терентьев, А. А. Торопов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, И. В. Седова, А. А. Усикова, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4.7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет $\sigma^-$-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения.

Поступила в редакцию: 11.06.2009
Принята в печать: 23.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 194–197

Реферативные базы данных:

•