RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 2, страницы 200–204 (Mi phts8746)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Низкоразмерные системы

Роль интерфейсных фононов при формировании поляронных состояний в квантовых ямах

А. Ю. Маслов, О. В. Прошина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Построена теория полярона большого радиуса в квантовой яме с учетом взаимодействия заряженных частиц с различными ветвями фононного спектра. Показано, что в узких квантовых ямах основной вклад в энергию связи полярона вносит взаимодействие с симметричными интерфейсными фононами. В результате такого взаимодействия энергия связи полярона определяется эффективной массой носителей в квантовой яме и поляризационными свойствами барьеров. Исследованы возможности возникновения поляронного экситона в квантовой яме при наличии сильного взаимодействия заряженных частиц с оптическими фононами. Найдены условия, при которых не происходит значительной компенсации поляризационных полей, созданных электроном и дыркой.

Поступила в редакцию: 11.06.2009
Принята в печать: 22.06.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 189–193

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026