Эта публикация цитируется в 24 статьях

Низкоразмерные системы

Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)

П. В. Середин^a, А. В. Глотов^a, Э. П. Домашевская^a, И. Н. Арсентьев^b, Д. А. Винокуров^b, И. С. Тарасов^b, И. А. Журбина<sup>c

a</sup> Воронежский государственный университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода.

Поступила в редакцию: 08.06.2009
Принята в печать: 15.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 184–188

Реферативные базы данных:

•