Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл)–(слоистый полупроводник) Ni/$p$-GaSe

А. П. Бахтинов^a, В. Н. Водопьянов^a, З. Д. Ковалюк^a, В. В. Нетяга^a, О. С. Литвин<sup>b

a</sup> Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, 58001 Черновцы, Украина
^b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) $p$-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/$n$-Ga$_2$Se$_3$/$p$-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела “металл-слоистый полупроводник”. В температурном диапазоне 220–350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах ($f>$ 10$^6$ Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/$n$-Ga$_2$Se$_3$ и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела “ферромагнитный металл-полупроводник”, где расположены наноразмерные включения.

Поступила в редакцию: 30.06.2009
Принята в печать: 10.07.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 171–183

Реферативные базы данных:

•