Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN

В. Ю. Давыдов^a, А. А. Клочихин^ab, А. Н. Смирнов^a, И. Ю. Страшкова^a, А. С. Крылов^c, Hai Lu^d, William J. Schaff^d, H.-M. Lee^e, Y.-L. Hong^e, S. Gwo<sup>e

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
^c Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
^d Department of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA
^e Department of Physics, National Tsing-Hua University, Taiwan, Republic of China

Аннотация: Показано, что исследование зависимости примесного резонансного рамановского рассеяния 1-го порядка от частоты возбуждающего света позволяет наблюдать дисперсию полярных оптических и акустических ветвей колебательного спектра гексагонального InN в широкой области волновых векторов. Установлено, что величины волновых векторов возбуждаемых фононов однозначно связаны с энергией возбуждающего фотона. Проведены измерения частот продольных оптических фононов $E_1$(LO) и $A_1$(LO) гексагонального InN при изменении энергии возбуждающего света в диапазоне от 2.81 до 1.17 эВ и продольных акустических фононов – в диапазоне от 2.81 до 1.83 эВ. Полученные зависимости позволили экстраполировать дисперсии фононов $A_1$(LO) и $E_1$(LO) вплоть до точки $\Gamma$ зоны Бриллюэна и оценить центрозонные энергии этих ветвей, величины которых до сих пор не установлены однозначно.

Поступила в редакцию: 18.08.2009
Принята в печать: 25.08.2025

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 161–170

Реферативные базы данных:

•