Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах $n$-Si

Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе

Грузинский технический университет, Республиканский центр структурных исследований (РЦСИ), 0175 Тбилиси, Грузия

Аннотация: Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах $n$-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-3}$ исследовались методом Холла в интервале температур 77–300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой $\Phi$ = 8.1 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$, эффективное значение подвижности электронов проводимости $\mu_{\mathrm{eff}}$ резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах $n$-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов.

Поступила в редакцию: 29.03.2009
Принята в печать: 21.04.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 151–154

Реферативные базы данных:

•