Воздействие электронов « допороговых» энергий на дефектообразование в приповерхностной области германия

В. М. Демидович, С. Н. Козлов, А. С. Король, М. В. Чукичев


Аннотация: Исследовано воздействие электронов с энергией 7$-$50 кэВ на плотность поверхностных электронных состояний германия и скорость рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерхностной области. Показано, что возникающие в процессе облучения дефекты локализованы в основном в приповерхностном слое полупроводника толщиной порядка или менее 0.1 мкм. Оценена скорость дефектообразования в этом слое под действием низкоэнергетических электронов (${0.5\div5\,\text{см}^{-1}}$). Отмечены факторы, способствующие тому, что эффективность дефектообразования в приповерхностной области полупроводника на несколько порядков больше, чем в объеме. Обсуждаются возможные механизмы дефектообразования.