RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 2, страницы 149–153 (Mi phts8739)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Получение и оптические свойства кристаллов ZnSe : Ni

Ю. Ф. Ваксманa, Ю. А. Ницукa, В. В. Яцунa, А. С. Насибовb, П. В. Шапкинb

a Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследованы монокристаллы ZnSe:Ni, полученные методом диффузионного легирования. Диффузия осуществлялась из металлического никеля в атмосфере гелия и аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области длин волн 0.4–3 мкм. По величине смещения края поглощения определена концентрация никеля в исследуемых кристаллах. Идентифицированы спектры оптической плотности и люминесценции ZnSe:Ni. Диффузионный профиль примеси никеля определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии никеля в кристаллах ZnSe при температурах 1073–1273 K.

Поступила в редакцию: 13.04.2009
Принята в печать: 21.04.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 141–144

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026