Эта публикация цитируется в 4 статьях

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Электропластичность чистого и легированного кремния

А. Р. Велиханов

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: Предложена новая технология формирования дислокационных диссипативных структур в чистых и легированных полупроводниковых кристаллах комбинированным деформированием, которая позволяет управлять их упругопластическими свойствами. Обнаружены новые макропластические свойства этих кристаллов. Из полученных диаграмм сжатия определены различные деформационные параметры и изучены поверхностные микроструктуры полученных деформированных образцов. Предложены возможные физические объяснения наблюдаемым явлением.

Поступила в редакцию: 02.06.2009
Принята в печать: 11.07.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:2, 137–140

Реферативные базы данных:

•