Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Моделирование роста нановискеров методом Монте-Карло

А. Г. Настовьяк, И. Г. Неизвестный, Н. Л. Шварц, З. Ш. Яновицкая

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: С помощью моделирования методом Монте-Карло проведено исследование роста кремниевых нановискеров на поверхности Si(111), активированной золотом. Получены зависимости скорости роста вискеров от температуры, скорости осаждения и диаметра капли катализатора, исследована морфология растущего нитевидного кристалла. В модельной системе наряду с ростом нановискеров найден ряд эффектов, наблюдаемых экспериментально: уход капли с вершины кристалла, фасетирование его боковой поверхности, ветвление. Найдено, что при определенных условиях смачивания материала вискера веществом катализатора возможно формирование полых нановискеров.

Поступила в редакцию: 13.10.2008
Принята в печать: 19.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 127–132

Реферативные базы данных:

•