В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, А. В. Сахаров, С. О. Усов, А. Е. Николаев, Д. В. Давыдов, Н. А. Черкашин, А. Ф. Цацульников, “Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1,страницы 126

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов

В. В. Лундин^ab, Е. Е. Заварин^ab, М. А. Синицын^ab, А. В. Сахаров^ab, С. О. Усов^ab, А. Е. Николаев^ab, Д. В. Давыдов^ab, Н. А. Черкашин^c, А. Ф. Цацульников^ab

^a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS) 31055 Toulouse, France

Аннотация: Исследовано влияние давления в реакторе при росте активных областей InGaN/GaN светодиодов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на их электролюминесцентные и структурные свойства. Показано, что при увеличении давления происходит трансформация слоев InGaN от сплошных в латеральном направлении к слоям изолированных InGaN-островков. Данная трансформация влияет как на эффективность излучения, так и на зависимость эффективности от тока.

Поступила в редакцию: 08.06.2009
Принята в печать: 15.06.2009