RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1, страницы 118–125 (Mi phts8734)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Роль распределения напряжений на границе раздела пленка–(барьерный подслой) в формировании силицидов меди

А. В. Панинa, А. Р. Шугуровa, И. В. Ивонинb, Е. В. Шестериковc

a Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, г. Томск
b Томский государственный университет
c АО НПФ "МИКРАН", г. Томск

Аннотация: Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка–(барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu$_3$Si.

Поступила в редакцию: 27.04.2010
Принята в печать: 04.05.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 116–122

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026