Эта публикация цитируется в 11 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов

Н. В. Сибирев^a, М. В. Назаренко^a, Г. Э. Цырлин^abc, Ю. Б. Самсоненко^abc, В. Г. Дубровский<sup>ab

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследован вопрос о начальном этапе образования полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по механизму “пар–жидкость–кристалл”. Показано, что капли малого размера либо зарастают, либо “всплывают” вместе с поверхностью двумерного эпитаксиального слоя. Рассчитана геометрическая форма нитевидных нанокристаллов на начальном этапе роста. Приведены экспериментальные данные по образованию GaAs-нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(111)B, активированных Au.

Поступила в редакцию: 29.04.2009
Принята в печать: 30.04.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 112–115

Реферативные базы данных:

•