А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, А. Е. Николаев, Н. А. Черкашин, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, М. Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue, “Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1,страницы 96

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм

А. Ф. Цацульников^ab, В. В. Лундин^ab, А. В. Сахаров^ab, Е. Е. Заварин^ab, С. О. Усов^ab, А. Е. Николаев^ab, Н. А. Черкашин^ac, Б. Я. Бер^a, Д. Ю. Казанцев^a, М. Н. Мизеров^b, Hee Seok Park^d, M. Hytch^c, F. Hue^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Center for Material Elaboration & Structural Studies of the National Center for Scientific Research, 31055 Toulouse, France
^d Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd., Suwon, Gyunggi-Do, Korea

Аннотация: Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств светодиодных структур с активной областью на основе сверхтонких InGaN-квантовых ям, ограниченных с обеих сторон короткопериодными сверхрешетками InGaN/GaN. Исследованы зависимости эффективности излучения от дизайна активной области. Показано, что использование InGaN/GaN в качестве ограничивающих варизонных короткопериодных сверхрешеток позволяет существенно увеличить квантовую эффективность излучения.

Поступила в редакцию: 08.06.2010
Принята в печать: 15.06.2010