RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1, страницы 92–95 (Mi phts8729)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Детектирование синглетного кислорода, образующегося при фотовозбуждении нанокристаллов пористого кремния, методом фотолюминесценции

М. Б. Гонгальский, Е. А. Константинова, Л. А. Осминкина, В. Ю. Тимошенко

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Впервые зарегистрирована люминесценция синглетного кислорода, фотосенсибилизированного микропористым кремнием, в газовой фазе при комнатной температуре. Одновременно обнаружено фотоиндуцированное увеличение фотолюминесценции дефектов на поверхности образцов в атмосфере кислорода. Показано, что механическое измельчение слоев пористого кремния приводит к уменьшению количества фотогенерируемого синглетного кислорода.

Поступила в редакцию: 06.05.2009
Принята в печать: 26.05.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 89–92

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026