RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1, страницы 87–91 (Mi phts8728)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Оценка адекватности фрактальной модели атомной структуры аморфного кремния

А. Б. Голоденко

Воронежская государственная технологическая академия

Аннотация: Рассмотрен способ построения фрактальной модели некристаллического твердого вещества на примере аморфного кремния. В системах итерационных функций аргументам придается физический смысл диэдрических (двугранных) и валентных углов элементарной кристаллографической ячейки. Адекватность модели оценена по радиальной функции распределения, плотности атомной структуры, распределения валентных и диэдрических углов, плотности оборванных межатомных связей.

Поступила в редакцию: 01.04.2009
Принята в печать: 22.05.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 84–88

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026