RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1, страницы 82–86 (Mi phts8727)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Природа излучения пористого кремния, полученного химическим травлением

Н. Е. Корсунскаяa, Т. Р. Стараa, Л. Ю. Хоменковаa, Е. В. Свеженцоваa, Н. Н. Мельниченкоb, Ф. Ф. Сизовa

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко

Аннотация: Исследованы люминесцентные и структурные характеристики пористого кремния, сформированного методом химического травления. На основе анализа температурных зависимостей спектров люминесценции показано, что полоса люминесценции образцов пористого кремния, полученных химическим травлением, является суперпозицей двух полос. Сделан вывод, что одна из этих полос обусловлена рекомбинацией экситонов в аморфных кремниевых нанокластерах размерами меньше 3 нм, а другая – рекомбинацией носителей через дефекты в окисле. Последняя при комнатной температуре является доминирующей.

Поступила в редакцию: 12.03.2009
Принята в печать: 09.04.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 79–83

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026