Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Перенос носителей зарядов в пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge$_{20}$As$_{20}$S$_{60}$

Л. П. Казакова^a, К. Д. Цэндин^a, Э. А. Лебедев^a, Д. Арсова^b, И. А. Обухова<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики твердого тела Болгарской академии наук, 1784 София, Болгария
^c Санкт-Петербургская государственная лесотехническая академия им. С. М. Кирова

Аннотация: Проведено исследование переноса носителей заряда в пленках состава Ge$_{20}$As$_{20}$S$_{60}$ методом измерения времени пролета в режиме слабой инжекции при комнатной температуре.
Получено, что значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок в пленках Ge$_{20}$As$_{20}$S$_{60}$ близки: $\mu_e\approx\mu_h\approx$ 2 $\cdot$ 10$^{-3}$ см$^2$В$^{-1}$с$^{-1}$ при $T$ = 295 K и $F$ = 5 $\cdot$ 10$^4$ В/см.
Показано, что характер зависимости фототока от времени при дрейфе носителей заряда и зависимости дрейфовой подвижности от напряжения позволяют использовать представления об аномальном дисперсионном переносе.
Экспериментальные данные объяснены в модели переноса, контролируемого захватом носителей на локализованные состояния, распределение которых по энергии вблизи краев зоны проводимости и валентной зоны описывается экспоненциальным законом с характеристической энергией $\sim$0.05 эВ.

Поступила в редакцию: 09.06.2009
Принята в печать: 30.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 76–78

Реферативные базы данных:

•