Эта публикация цитируется в 2 статьях

Низкоразмерные системы

Формирование полупроводниковых 3D наноструктур на основе ZnSe

С. В. Алышев^a, А. О. Забежайлов^a, Р. А. Миронов^a, В. И. Козловский^b, Е. М. Дианов<sup>a

a</sup> Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs выращены наноструктуры, содержащие жертвенный слой ZnMgSSe толщиной 10 нм и напряженный бислой ZnSSe/ZnSe толщиной 20 нм. Жертвенный слой был удален селективным травлением, в результате чего были сформированы микротрубки ZnSSe/ZnSe с многослойными стенками.

Поступила в редакцию: 20.05.2009
Принята в печать: 29.05.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 72–75

Реферативные базы данных:

•