М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, T. Šimeček, “Электролюминесценция в гетероструктурах II типа $p$-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/$p(n)$-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1,страницы 69

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Низкоразмерные системы

Электролюминесценция в гетероструктурах II типа $p$-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/$p(n)$-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице

М. П. Михайлова^a, Э. В. Иванов^a, К. Д. Моисеев^a, Ю. П. Яковлев^a, E. Hulicius^b, A. Hospodkova^b, J. Pangrac^b, T. Šimeček^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, 16200 Prague, Czech Republic

Аннотация: Исследованы люминесцентные характеристики асимметричных гетероструктур II типа $p$-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/$p$-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Интенсивная положительная и отрицательная люминесценция наблюдалась в интервале энергий фотонов 0.3–0.4 эВ при прямом и обратном смещении соответственно. Изучены зависимости спектров и интенсивности для положительной и отрицательной люминесценции от тока накачки, а также температуры в диапазоне 77–380 K. Установлено, что при температуре свыше 75$^\circ$C отрицательная люминесценция превосходит по интенсивности положительную люминесценцию на 60%. Предложенные гетероструктуры могут быть использованы в качестве светодиодов(фотодиодов) с переключаемой положительной и отрицательной люминесценцией в среднем ИК-спектральном диапазоне 3–4 мкм.

Поступила в редакцию: 01.06.2009
Принята в печать: 08.06.2009