М. В. Якушев, В. А. Швец, И. А. Азаров, С. В. Рыхлицкий, Ю. Г. Сидоров, Е. В. Спесивцев, Т. С. Шамирзаев, “Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd$_{1-z}$Zn$_z$Te методом спектральной эллипсометрии”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1,страницы 62

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd$_{1-z}$Zn$_z$Te методом спектральной эллипсометрии

М. В. Якушев^a, В. А. Швец^ab, И. А. Азаров^a, С. В. Рыхлицкий^a, Ю. Г. Сидоров^a, Е. В. Спесивцев^a, Т. С. Шамирзаев^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Представлен программно-аппаратный комплекс на основе спектрального эллипсометра, интегрированного в установку молекулярно-лучевой эпитаксии, предназначенный для контроля состава твердого раствора Cd$_{1-z}$Zn$_z$Te при малых значениях $z$. Рассмотрены методические особенности определения состава растущих слоев из спектров эллипсометрических параметров. Разработана методика определения состава по краю поглощения, которая позволяет с точностью 1.2% измерять этот параметр. Рассмотрены проблемы, решение которых позволит повысить разрешение по составу. В частности, для этого требуется поддержание стабильной температуры в процессе роста.

Поступила в редакцию: 27.04.2009
Принята в печать: 04.05.2009