Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах

Д. А. Фирсов^a, L. Shterengas^b, G. Kipshidze^b, В. Л. Зерова^a, T. Hosoda^b, П. Тхумронгсилапа^a, Л. Е. Воробьев^a, G. Belenky<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Department of Electric and Computer Engineering, State University of New York at Stony Brook, New York 11794-2350, USA

Аннотация: В структурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов InGaAsSb и с барьерами на базе AlGaAsSb и AlInGaAsSb исследована динамика межзонной фотолюминесценции при различных температурах и уровнях возбуждения. Экспериментально определены времена жизни оптически инжектированных носителей заряда в квантовых ямах при разных температурах и уровнях оптического возбуждения. Увеличение скорости рекомбинации в структурах с более глубокими квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb для электронов связывается с проявлением резонансной оже-рекомбинации. Оже-рекомбинация приводит к разогреву электронов и дырок в нижних подзонах размерного квантования. Оценена температура носителей заряда при оже-рекомбинации с использованием уравнения баланса мощности, учитывающего накопление неравновесных оптических фононов. На основе исследованных структур изготовлены лазеры двух типов на длину волны около 3 мкм; показано, что использование пятикомпонентного твердого раствора в качестве материала барьера приводит к улучшению характеристик лазеров.

Поступила в редакцию: 06.05.2009
Принята в печать: 14.05.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 50–58

Реферативные базы данных:

•