RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 9, страницы 1642–1647 (Mi phts872)

Образование комплексов дефектов при стимулированной диффузии фосфора в кремний

С. В. Гапонов, М. А. Калягин, М. Д. Стриковский


Аннотация: Обнаружено и исследовано накопление в электрически неактивном состоянии фосфора, диффундирующего в кремний при ${\sim600^{\circ}}$С под действием эрозионной лазерной плазмы с плотностью потока ${j=10^{18}\div10^{20}\,\text{см}^{-2}\cdot\text{с}^{-1}}$. Показано, что в диапазоне ${j<10^{19}\,\text{см}^{-1}\cdot\text{с}^{-2}}$ скорость накопления нелинейна по плотности потока. Предложена модель процесса, учитывающая возможность формирования устойчивого комплекса при последовательном захвате атомом примеси двух вакансий. Модель описывает наблюдаемые в эксперименте нелинейный режим и его насыщение.



© МИАН, 2026