Эта публикация цитируется в 7 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Выращивание монокристаллов (In$_2$S$_3$)$_x$(FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и свойства фоточувствительных структур на их основе

И. В. Боднарь^a, В. Ю. Рудь^b, Ю. В. Рудь^c, Е. И. Теруков<sup>c

a</sup> Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Установлена полная взаимная растворимость в системе (In$_2$S$_3$)$_x$(FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$. Развита технология и впервые выращены монокристаллы непрерывного ряда твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$. Получена линейная зависимость параметра элементарной ячейки монокристаллов с кубической решеткой шпинели от состава твердых растворов. Созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки и на основании исследований их фоточувствительности обсуждается характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны в зависимости от атомного состава. Обнаружена возможность использования полученных твердых растворов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.

Поступила в редакцию: 29.04.2009
Принята в печать: 30.04.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 37–40

Реферативные базы данных:

•