А. Х. Абдуев, А. К. Ахмедов, А. Ш. Асваров, А. А. Абдуллаев, С. Н. Сульянов, “Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1,страницы 34

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием

А. Х. Абдуев^a, А. К. Ахмедов^a, А. Ш. Асваров^a, А. А. Абдуллаев^a, С. Н. Сульянов^b

^a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия
^b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва

Аннотация: Прозрачные проводящие пленки ZnO, легированные галлием, получены на стеклянных подложках методом магнетронного распыления проводящих керамических мишеней. Проведены исследования зависимости структурных, электрических, оптических характеристик пленок ZnO : Ga от температуры подложки в ходе осаждения. Рассмотрена стабильность удельного сопротивления пленок при отжиге на воздухе. Обнаружено, что минимальное удельное сопротивление 3.8 $\cdot$ 10$^{-4}$ Ом $\cdot$ см имеют пленки, осажденные при температуре подложки 250$^\circ$C, а наибольшей термостабильностью обладают пленки, осажденные при 200$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 03.03.2009
Принята в печать: 09.04.2009