Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем

А. Ф. Орлов^a, Л. А. Балагуров^a, И. В. Кулеманов^a, Ю. Н. Пархоменко^a, А. А. Картавых^b, В. В. Сарайкин^c, Ю. А. Агафонов^d, В. И. Зиненко<sup>d

a</sup> Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", г. Москва
^b Институт химических проблем микроэлектроники, 119017 Москва, Россия
^c Государственный научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф. В. Лукина
^d Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Исследованы профили респределения примесей и сопротивления растекания в слоях ферромагнитного кремния, полученных имплантацией Mn (или Co). Стандартные пластины полупроводникового кремния $n$- и $p$-типа проводимости с высоким и низким удельным электросопротивлением были имплантированы ионами Mn дозами (1–5) $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$. Обнаружено, что в результате постимплантационного отжига в вакууме при 850$^\circ$C в течение 5 мин Mn проявляет свойства амфотерной примеси и компенсирует акцепторы в высокоомном $p$-Si и доноры в низкоомном $n$-Si. Показано, что только незначительная часть ионов Mn, 1–2%, проявляет электрическую активность и участвует в компенсации. По величине компенсации определены энергии уровней $E_c$ – 0.12 эВ для $n$-Si и $E_v$+0.32 эВ для $p$-Si, принадлежащих ионам Mn в положениях внедрения в кристаллической решетке кремния, соответственно (Mn$_i$)$^{-/0}$ и (Mn$_i$)$^{+/++}$.

Поступила в редакцию: 26.03.2009
Принята в печать: 06.04.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:1, 28–31

Реферативные базы данных:

•