Г. А. Бордовский, А. В. Марченко, П. П. Серегин, Н. Н. Смирнова, Е. И. Теруков, “Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 1,страницы 26

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа

Г. А. Бордовский^a, А. В. Марченко^a, П. П. Серегин^a, Н. Н. Смирнова^b, Е. И. Теруков^b

^a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Для определения количественного содержания германия, мышьяка, серы и селена в стеклообразных сплавах As$_{1-x}$S$_x$, G$_{1-x}$S$_x$, As$_{1-x}$Se$_x$ и Ge$_{1-x}$Se$_x$ методом рентгенофлуоресцентного анализа реализован метод стандарта. Использование указанной методики позволяет определить количественный состав стекол As$_{1-x}$S$_x$, Ge$_{1-x}$S$_x$, As$_{1-x}$Se$_x$ и Ge$_{1-x}$Se$_x$ с точностью $\pm$ 0.001 по параметру $x$.